离子注入机通用规范 |
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| 标准编号：GB/T 15862-2012 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：31.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了离子注入机的术语、产品分类、技术要求、试验、检验规则和标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于半导体工艺用电能离子注入机。其他离子注入机亦可参照使用。 |
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| 英文名称： |
General specification of ion implantation equipment |
 替代情况： |
替代GB/T 15862-1995 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>电子工业生产设备>>L97加工专用设备 |
| ICS分类： |
31-550 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2012-11-05 |
| 实施日期： |
2013-02-15
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| 首发日期： |
1995-12-22 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 主管部门： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 起草人： |
郭健辉、彭立波、罗宏洋 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2013-02-15 |
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T15862—1995《离子注入机通用技术条件》。
本标准与GB/T15862—1995相比主要变化如下:
———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替;
———增加术语“注入角度”(见3.6)、“最大晶片传输效率”(见3.7),并在性能指标及测试方法中做相应要求(见6.4.6);
———环境温度调整为23℃±2℃;相对湿度规定范围30%~50%(见5.1.3);
———安全要求中增加“警示标识”的条款(见6.3.1);
———去掉表3、表4;
———均匀性测量增加了热波探针法测量条件和方法(见6.4.4.1b));
———重复性测量增加了批间重复性测量方法(见6.4.5.2);
———检验规则去掉例行检验项。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究所归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所。
本标准主要起草人:郭健辉、彭立波、罗宏洋。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T15862—1995。 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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