碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
 |
| 标准编号：T/CASAS 045-2024 |
标准状态：现行 |
|
| 标准价格：31.0 元 |
客户评分：  |
|
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务！ |
|
|
|
|
|
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）动态栅偏试验方法，包括：试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。
本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。 |
|
|
|
| 英文名称： |
Dynamic gate stress test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET） |
 中标分类： |
>>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 |
| ICS分类： |
电子学>>31.080半导体器件 |
| 发布部门： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 发布日期： |
2024-11-19 |
| 实施日期： |
2024-11-19
|
| 提出单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 归口单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 起草单位： |
清纯半导体（宁波）有限公司、复旦大学宁波研究院、复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所、东风汽车集团有限公司、杭州三海电子科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、深圳禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司等 |
| 起草人： |
孙博韬、樊嘉杰、侯欣蓝、罗润鼎、史文华、雷光寅、陈媛、左元慧、张俊然、李钾、冯海科、汤益丹、谢峰、崔丁元、于亮、刘惠鹏、袁琰、王民、张海涛、庄建军、张园览、刘鹏飞、乔良、王丹丹、万玉喜、陈刚、王来利、杨奉涛、刘宗亮、李本亮、徐瑞鹏 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
|
|
|
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。
本文件起草单位:清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所、东风汽车集团有限公司、杭州三海电子科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、深圳禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、宁波达新半导体有限公司、智新半导体有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、上海维安电子股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、中国电力科学研究院有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、西安交通大学、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人:孙博韬、樊嘉杰、侯欣蓝、罗润鼎、史文华、雷光寅、陈媛、左元慧、张俊然、李钾、冯海科、汤益丹、谢峰、崔丁元、于亮、刘惠鹏、袁琰、王民、张海涛、庄建军、张园览、刘鹏飞,乔良、王丹丹、万玉喜、陈刚、王来利、杨奉涛、刘宗亮、李本亮、徐瑞鹏。 |
|
|
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4586 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 021-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法 |
|
|
|
| |