| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| SJ 50033/100-1995 |
半导体分立器件 ２ＣＪ６０型阶跃恢复二极管详细规范 |
中国人民共和国电子工.
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1996-10-01 |
现行 |
| SJ 50033/101-1995 |
ＧＪ１３２５型半导体激光二极管组件详细规范 |
中国人民共和国电子工.
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1996-10-01 |
现行 |
| SJ 50033/58-1995 |
半导体光电子器件 ＧＦ４１３型绿色发光二极管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/59-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＫ３９型功率开关晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/60-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＫ４０型功率开关晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/61-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＫ６５４７型高压功率开关晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/62-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＫ４０６型高压功率开关晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/63-1995 |
半导体分立器件 ３ＣＤ０２０型低频大功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/64-1995 |
半导体分立器件 ３ＣＤ０１０型低频大功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/65-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＤ１７５型低频大功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/66-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＤ８８０型低频大功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/67-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＤ１０３型高压低频大功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/68-1995 |
半导体分立器件 ＢＴ５１型ＮＰＮ硅小功率差分对晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/69-1995 |
半导体分立器件 ＰＩＮ３０系列ＰＩＮ二极管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/70-1995 |
半导体分立器件 ＰＩＮ３５系列ＰＩＮ二极管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/71-1995 |
半导体分立器件 ＰＩＮ３４２型ＰＩＮ二极管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/72-1995 |
半导体分立器件 ＰＩＮ３２３型ＰＩＮ二极管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/73-1995 |
半导体分立器件 ＱＬ７４型硅单相桥式整流器详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/74-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＡ３２５型硅微波功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/75-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＧ１３５型硅超高频小功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/76-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＧ２１８型硅微波低噪声晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/77-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＡ３３１型硅微波功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/78-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ０４６４型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/79-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ０５３６型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/80-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ０５１３型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/81-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ０５２４型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/82-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＫ１００型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/83-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/84-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ１４０型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/85-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/86-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６型硅Ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/87-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/88-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ６７６０和ＣＳ６７６２型硅Ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/89-1995 |
半导体分立器件 ＣＳ６７６８和ＣＳ６７７０型硅Ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/90-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＫ１０６型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/91-1995 |
半导体分立器件 ３ＣＤ０３０型低频大功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/92-1995 |
半导体分立器件 ３ＣＤ１００型低频大功率晶体管详细规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/93-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＧ１４２型ＮＰＮ硅高频低噪声小功率晶体管详细规范 |
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1996-10-01 |
现行 |
| SJ 50033/94-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＧ１４３型ＮＰＮ硅高频低噪声小功率晶体管详细规范 |
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1996-10-01 |
现行 |
| SJ 50033/95-1995 |
半导体分立器件 ３ＤＧ１４４型ＮＰＮ硅高频低噪声小功率晶体管详细规范 |
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1996-10-01 |
现行 |