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| 英文名称： |
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
被GB/T 14142-2017代替 |
| 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法 |
| ICS分类： |
29.040.30 |
| UDC分类： |
669.782 |
| 采标情况： |
NEQ ASTM F80:1985 |
| 发布部门： |
国家技术监督局 |
| 发布日期： |
1993-02-06 |
| 实施日期： |
1993-10-01
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| 作废日期： |
2018-04-01
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| 首发日期： |
1993-02-06 |
| 复审日期： |
2004-10-14 |
| 归口单位： |
全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
国家标准化管理委员会 |
| 起草单位： |
峨眉半导体材料研究所 |
| 页数： |
7页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
1993-10-01 |
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