硅单晶 |
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| 标准编号：GB/T 12962-2015 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：29.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200mm 的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。 |
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| 英文名称： |
Monocrystalline silicon |
 替代情况： |
替代GB/T 12962-2005 |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2015-12-10 |
| 实施日期： |
2017-01-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T |
| 起草单位： |
有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所等 |
| 起草人： |
孙燕、张果虎、张雪囡、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、杨素心、由佰玲、李丽妍 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066·1-53125 |
| 出版日期： |
2017-01-01 |
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T12962—2005《硅单晶》。本标准与GB/T12962—2005相比,主要变化如下:
———增加了直径小于或等于50.8mm 直拉硅单晶及要求(见5.1.1);
———增加了直径200mm 区熔硅单晶及要求(见5.1.1);
———增加了对直拉硅单晶的载流子寿命要求(见5.2.1);
———修订了n型区熔高阻硅单晶电阻率范围的要求(见5.2.1);
———增加了掺杂比为F5 的中子嬗变掺杂硅单晶的要求(见5.2.1);
———修订了掺杂比为F10 的中子嬗变掺杂硅单晶的径向电阻率变化及少数载流子寿命要求(见5.2.1);
———修订了气相掺杂区熔硅单晶的直径、电阻率及少数载流子寿命等要求(见5.2.1);
———“金属含量”要求中删除了“重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供”内容(见5.8);
———取样由文字描述改为表6;
———增加了订货单内容(见第9章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东泰卓光电科技股份有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、张果虎、张雪囡、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、杨素心、由佰玲、李丽妍。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005。 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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