半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法 |
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| 标准编号：DB52/T 1104-2016 |
标准状态：已废止 |
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| 标准价格：0.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了具有单一热流路径的半导体器件结-壳热阻Rth(J-C)的瞬态测试方法。
本标准适用于具有单一热流路径的半导体器件。 |
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| 英文名称： |
Junction-to-case thermal resistance transient test method of semiconductor devices |
| 标准状态： |
已废止 |
 替代情况： |
公告：贵州省市场监管局关于废止152项贵州省地方标准的公告 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合 |
| 发布部门： |
贵州省质量技术监督局 |
| 发布日期： |
2016-04-01 |
| 实施日期： |
2016-10-01
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| 作废日期： |
2019-12-04
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| 提出单位： |
贵州省机械电子产品质量监督检验院 |
| 归口单位： |
贵州省质量技术监督局 |
| 主管部门： |
贵州省质量技术监督局 |
| 起草单位： |
贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司 |
| 起草人： |
李明贵、禹忠、付悦、岳萍、刘德军、钟健思、曹珩、章俊华、林小文、邵建平、马静 |
| 出版日期： |
2016-10-01 |
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本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
请注意：本标准的某些内容可能涉及专利内容，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准使用重新起草法修改采用JESD 51-14 2010《测量具有单一热流路径的半导体器件结壳热阻的瞬态双界面测试法》。
本标准与JESD 51-14 2010相比，在结构上增加了一章（4），删除了一章（7）。
本标准与JESD 51-14 2010的技术性差异及其原因如下：
——将JESD 51-14 2010第4.2.1瞬态双界面测量原理进行精简后，写入本标准5.4瞬态双界面测量中，以增加可操作性；
——删除了JESD 51-14 2010 第4.2.2温度控制散热器部分，以适应我国的技术条件；
——将JESD 51-14 2010第4.2部分定义的无/有导热硅脂与热油两种测试状态，重新定义为低/高导热两种测试状态，以适应我国的技术条件；
——根据JESD 51-14 2010测试原理，本标准增加了测试原理图、测试时序图，以增加可操作性；
——本标准对两条瞬态热阻抗曲线的分离点确认和结-壳热阻的计算只规定原理，不限制实现方法，以适应我国的技术条件。
本标准做了下列编辑性修改：
——将标准名称修改为《半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法》；
——将JESD 51-14 2010 第5章调整为本标准资料性附录A；
——关于规范性引用文件，调整如下：
删除了JESD 51-14 2010第2章[N1][N2][N3][N4][N5][N6][N7]；
增加引用了GB/T 11499；
增加引用了GB/T 14862；
——删除了JESD 51-14 2010附录A、B、C、D。
本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院提出。
本标准由贵州省质量技术监督局归口。
本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。
本标准主要起草人：李明贵、禹忠、付悦、岳萍、刘德军、钟健思、曹珩、章俊华、林小文、邵建平、马静。 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 11499 半导体分立器件文字符号
GB/T 14862 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法
GJB 548B 微电子器件试验方法和程序 |
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