功率半导体封装用活性金属钎焊（AMB）氮化铝陶瓷覆铜基板 |
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| 标准编号：SJ/T 12006-2025 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：0.0 元 |
客户评分：  |
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本文件规定了功率半导体封装用活性金属钎焊（AMB）氮化铝陶瓷覆铜基板要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。
本文件适用于采用 AMB 工艺制备的功率半导体封装用氮化铝陶瓷覆铜基板。 |
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| 发布部门： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 发布日期： |
2025-08-19 |
| 实施日期： |
2026-03-01
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