用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 |
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| 标准编号：GB/T 14863-2013 |
标准状态：已废止 |
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| 标准价格：26.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。 |
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| 英文名称： |
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
| 标准状态： |
已废止 |
 替代情况： |
替代GB/T 14863-1993;废止公告：国家标准公告2017年第31号 |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2013-12-31 |
| 实施日期： |
2014-08-15
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| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究院 |
| 主管部门： |
中国电子技术标准化研究院 |
| 起草单位： |
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院 |
| 起草人： |
何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2014-08-15 |
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T14863—1993《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》。
本标准与GB/T14863—1993相比,主要有下列变化:
———增加了标准的“前言”;
———调整并增加了引用标准;
———对试验条件、试验方法进行了简化和调整;
———对附录进行了调整。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T14863—1993。 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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