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| 英文名称： |
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3:Test method for defects using photoluminescence |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件 |
| 采标情况： |
IEC 63068-3:2020,IDT |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2023-12-28 |
| 实施日期： |
2024-07-01
即将实施 距离实施日期还有63天 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司等 |
| 起草人： |
芦伟立、房玉龙、李佳、殷源、丁雄杰、张冉冉、王健、李丽霞、张建峰、李振廷、徐晨、杨青、刘立娜、杨世兴、马康夫、钮应喜、金向军、尹志鹏、刘薇、陆敏、周少丰、林志阳 |
| 页数： |
24页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |