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| 英文名称： |
Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers—Interstitial oxygen reduction |
| 标准状态： |
即将实施 |
 替代情况： |
替代GB/T 19444-2004 |
| 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2025-06-30 |
| 实施日期： |
2026-01-01
即将实施 距离实施日期还有152天 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
麦斯克电子材料股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司等 |
| 起草人： |
方丽霞、陈卫群、姚献朋、黄笑容、寇文辉、王新社、郭红强、刘丽娟、肖世豪、朱晓彤、张海英、王江华、尚海波、章金兵 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |