2 ICS国际标准分类[31.080.01半导体器件综合]-工标网
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 您的位置:工标网 >> 标准分类 >> ICS分类 >> 电子学 >> 半导体器件 >>31.080.01 半导体器件综合
标准编号 标准名称 发布部门 实施日期 状态
 SJ 20961-2006  集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 2006-12-30 现行
 T/CIE 119-2021  半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 中国电子学会 2022-02-01 现行
 T/CIE 121-2021  逆导型IGBT的热阻测试方法 中国电子学会 2022-02-01 现行
 T/CIE 145-2022  辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 中国电子学会 2023-01-31 现行
 T/CIE 147-2022  空间行波管加速寿命试验评估技术规范 中国电子学会 现行
 T/IAWBS 004-2017  电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 中关村天合宽禁带半导. 2017-12-31 现行
 T/QGCML 2892-2023  电动汽车电驱动用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET)模块技术条件 全国城市工业品贸易中. 2023-12-31 现行
 T/SLEIA 0003-2024  光电耦合器可靠性评价方法 深圳市龙岗区电子行业. 2024-02-26 现行
 找到48条相关标准,共2页 [1] 2  现行 即将实施 作废 废止 
 
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 31.080.01 半导体器件综合[17] 31.080.10 二极管[18] 31.080.20 晶体闸流管[16]
 31.080.30 三极管[15] 31.080.99 其他半导体器件[6]  
 
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