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| 英文名称： |
Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques |
 中标分类： |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
| 采标情况： |
ASTM F978-90 NEQ |
| 发布部门： |
中华人民共和国电子工业部 |
| 发布日期： |
1994-04-11 |
| 实施日期： |
1994-10-01
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| 归口单位： |
电子工业部标准化研究所 |
| 起草单位： |
电子工业部第四十六研究所 |
| 起草人： |
刘春香，张若愚，段曙光 |
| 页数： |
6页 |
| 出版社： |
电子工业部标准化研究 |
| 出版日期： |
2004-04-18 |
| 标准前页： |
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