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半导体中深能级的瞬态电容测试方法

标准
标准编号:SJ/T 10482-1994 标准状态:现行
标准价格:8.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。
本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。
由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电
容瞬态有关的深能级。
英文名称:  Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
什么是中标分类? 中标分类:  能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理
什么是采标情况? 采标情况:  ASTM F978-90 NEQ
发布部门:  中华人民共和国电子工业部
发布日期:  1994-04-11
实施日期:  1994-10-01
什么是归口单位? 归口单位:  电子工业部标准化研究所
起草单位:  电子工业部第四十六研究所
起草人:  刘春香,张若愚,段曙光
页数:  6页
出版社:  电子工业部标准化研究
出版日期:  2004-04-18
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