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硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

标准
标准编号:YS/T 23-1992 标准状态:已作废
标准价格:8.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法
本标 准 适 用于在<111>,tloo>和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝
外延 层 中 应存在着发育完整的堆垛层错,其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的),或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为2^75 um.
标准状态:  已作废
什么是替代情况? 替代情况:  YS/T 23-2016代替
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中国有色金属工业总公司
发布日期:  1992-03-09
实施日期:  1993-01-01
作废日期:  2016-09-01
提出单位:  中国有色金属工业总公司标准计量研究
起草单位:  上海市有色金属总公司半导体材料i
起草人:  吴耀芬、姚保纲、周康权
页数:  3页
出版日期:  1993-01-01
标准前页:  
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本标准相关公告
·中华人民共和国行业标准备案公告 2016年(第6号) [2016-07-21]
·中华人民共和国工业和信息化部公告 2016年(第17号) [2016-05-04]

半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
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 YS/T 985-2014 硅抛光回收片
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 YS/T 28-1992 硅片包装
 YS/T 43-1992 高纯砷
 YS/T 43-2011 高纯砷
 YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
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 YS/T 792-2012 单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
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