碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 |
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| 标准编号：T/IAWBS 003-2017 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：23.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。 |
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| 英文名称： |
Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 发布日期： |
2017-12-20 |
| 实施日期： |
2017-12-31
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| 归口单位： |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 起草单位： |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 起草人： |
冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲 |
| 页数： |
12页【彩图】 |
| 出版社： |
中国质检出版社 |
| 出版日期： |
2018-02-01 |
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