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硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法

国家标准
标准编号:GB/T 29507-2013 标准状态:现行
标准价格:31.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法,适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试,且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。
英文名称:  Test method for measuring flatness,thickness and total thickness variation on silicon wafers—Automated non-contact scanning
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2013-05-09
实施日期:  2014-02-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
起草单位:  上海合晶硅材料有限公司、有研半导体材料股份有限公司
起草人:  徐新华、王珍、孙燕、曹孜
页数:  16页【彩图】
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2013-06-01
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本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2013年第6号 [2013-05-19]

半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
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 GB/T 6617-2009  硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 29849-2013 用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
 GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
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 GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
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 GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片
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