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| 英文名称： |
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.30三极管 |
| 采标情况： |
IEC 62373-1:2020 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2026-04-30 |
| 实施日期： |
2026-11-01
即将实施 距离实施日期还有160天 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、中国工程物理研究院流体物理研究所、龙腾半导体股份有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司等 |
| 起草人： |
恩云飞、高汭、肖庆中、李潮、黄鹏、章晓文、林晓玲、何玉娟、杨晓锋、来萍、魏志鹏、韦覃如、韦拢、孙哲、牛皓、鹿祥宾、虞勇坚、贾沛、杨振宝、王凌云、王嘉蓉、周晓阳、杨彦峰、赵玉玲、刘海波、刘健、杨国江、刘月、吴永君、孙守强、吴志刚、谢慧青、朱礼贵、朱袁正 |
| 页数： |
24页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |