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 您的位置:工标网 >> 标准分类 >> 中标分类 >> H冶金 >> H80/84 半金属与半导体材料 >> H82元素半导体材料
标准编号 标准名称 发布部门 实施日期 状态
 GB/T 29852-2013  光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法 国家质量监督检验检疫. 2014-04-15 现行
 GB/T 30861-2014  太阳能电池用锗衬底片 国家质量监督检验检疫. 2015-04-01 现行
 GB/T 31854-2015  光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 国家质量监督检验检疫. 2016-03-01 现行
 GB/T 32573-2016  硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法 国家质量监督检验检疫. 2016-11-01 现行
 GB/T 32651-2016  采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 国家质量监督检验检疫. 2016-11-01 现行
 GB/T 35307-2017  流化床法颗粒硅 国家质量监督检验检疫. 2018-07-01 作废
 GB/T 35307-2023  流化床法颗粒硅 国家市场监督管理总局. 2024-03-01 现行
 GB/T 35310-2017  200mm硅外延片 国家质量监督检验检疫. 2018-07-01 现行
 GB/T 40561-2021  光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法 国家市场监督管理总局. 2022-05-01 现行
 GB/T 40566-2021  流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法 国家市场监督管理总局. 2022-05-01 现行
 GB/T 41325-2022  集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 国家市场监督管理总局. 2022-10-01 现行
 GB/T 41652-2022  刻蚀机用硅电极及硅环 国家市场监督管理总局. 2023-02-01 现行
 GB/T 5238-2019  锗单晶和锗单晶片 国家市场监督管理总局. 2020-05-01 现行
 GB/T 6620-2009  硅片翘曲度非接触式测试方法 国家质量监督检验检疫. 2010-06-01 现行
 SJ 20858-2002  碳化硅单晶材料电学参数测试方法 2003-05-01 现行
 YS/T 1061-2015  改良西门子法多晶硅用硅芯 工业和信息化部 2015-10-01 现行
 YS/T 1167-2016  硅单晶腐蚀片 工业和信息化部 2017-01-01 现行
 YS/T 14-1991  异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法 1992-06-01 作废
 YS/T 15-1991  硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法 1992-06-01 作废
 YS/T 557-2006  压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法 2006-10-11 现行
 找到60条相关标准,共2页 [1] 2  现行 即将实施 作废 废止 
 
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 H80 半金属与半导体材料综合[5] H81 半金属[39] H82 元素半导体材料[26] H83 化合物半导体材料[10]
 
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