硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 |
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| 标准编号：GB/T 26068-2010 |
标准状态：已作废 |
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| 标准价格：41.0 元 |
客户评分：  |
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本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 |
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| 英文名称： |
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
被GB/T 26068-2018代替 |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2011-01-10 |
| 实施日期： |
2011-10-01
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| 作废日期： |
2019-11-01
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| 首发日期： |
2011-01-10 |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司 |
| 起草人： |
曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯 |
| 页数： |
28页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2011-10-01 |
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本标准由全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司。
本标准主要起草人:曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯。 |
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前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 检测方法概述 2
5 干扰因素 3
6 设备 4
7 试剂 5
8 取样及样片制备 5
9 测试步骤 7
10 报告 8
11 精密度和偏差 8
附录A (规范性附录) 注入水平的修正 9
附录B(资料性附录) 注入水平的相关探讨 10
附录C (资料性附录) 载流子复合寿命与温度的关系 13
附录D (资料性附录) 少数载流子复合寿命 16
附录E (资料性附录) 测试方法目的和精密度 19
参考文献 20 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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